ПРОДУКТИ
Нужда от помощ? Свържете се с нас
0898 72 00 60
office@dservice.bg
Вашата количка е празна
- Начало
- NTMFS4C09NBT1G N-Channel MOSFET 30V 52A SO8FL Power IC Chip NTMFS4C09NBT1G N-Channel MOSFET 30V 52A SO8FL Power IC Chip
NTMFS4C09NBT1G N-Channel MOSFET 30V 52A SO8FL Power IC Chip
ON Semiconductor Corporation
ОЧАКВА СЕ!
КОД:
—
1,47 €
/
2.88 лв
?
Нужда от консултация?
в брой
с карта
с наложен платеж
с банков превод
на изплащане
- Технически параметри
| Основни характеристики | |
|---|---|
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Производител | onsemi |
| Модел | NTMFS4C09NBT1G |
| Маркировка | 4C09N |
| Технология | Low RDS(ON) Power MOSFET |
| Електрически параметри | |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20V |
| Drain Current (ID) | 52A |
| Junction Temperature | -55°C до +150°C |
| Съпротивление | |
| RDS(ON) @ 10V | 4.6mΩ Typ / 5.8mΩ Max |
| RDS(ON) @ 4.5V | 6.8mΩ Typ / 8.5mΩ Max |
| Gate Threshold Voltage | 1.3V – 2.1V |
| Gate характеристики | |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.9nC |
| Input Capacitance (CISS) | 1252pF |
| Forward Transconductance | 50S |
| Характеристики | |
| Ниско RDS(ON) | Да |
| Оптимизиран Gate Charge | Да |
| Висока токова натоварваемост | До 52A |
| RoHS | Да |
| Приложения | |
| Използва се в | Лаптопи, видеокарти, дънни платки, VRM секции, CPU захранвания, DC-DC преобразуватели, Power Path вериги и индустриална електроника |
| Корпус | |
| Package | SO-8FL / Power SO8 |
| Монтаж | SMD |
Горещи оферти
Dell
РЕНОВИРАН
Гр. Варна
LENOVO
РЕНОВИРАН
гр. Варна
Lenovo
РЕНОВИРАН
Гр. Варна
Dell
РЕНОВИРАН
Гр. Варна
Dell
РЕНОВИРАН
Гр. Варна
Lenovo
РЕНОВИРАН
Гр. Варна
Lenovo
РЕНОВИРАН
Гр. Варна
Lenovo
РЕНОВИРАН
гр. Варна
LENOVO
РЕНОВИРАН
гр. Варна
HP
РЕНОВИРАН
гр. Варна