IRFHS8342TRPBF 30V N-Channel Power MOSFET PQFN-6 (2×2mm)

Name: IRFHS8342TRPBF 30V N-Channel Power MOSFET PQFN-6 (2×2mm)
Brand: Infineon Technologies
Price: 0.53 EUR
Availability: InStock
Rating: 5.0 (10 reviews)

Infineon Technologies

гр. Варна

КОД: —

При въпроси: 0898 72 00 60

0,53 €

1.04 лв

Доставка: до 24 часа

Нужда от консултация?

Любомир Руменов

0898 72 00 60

Изпратете e-mail

в брой

с карта

с наложен платеж

с банков превод

на изплащане

Сервизи

Гаранционно и извънгаранционно обслужване само от професионалисти

Виж още

Дистанционна IT помощ

Дистанционна IT помощ или абонаментна поддръжка

Виж още

14 дни право на връщане

Прочетете повече за правото си да върнете продукта в 14 дневен срок

Виж още

Допълнителна гаранция

Удължете гаранцията на вашия продукт +1 или +2 години

Виж още

Застраховка

Застраховайте техниката си при инциденти – изпускане или счупване

Виж още

ОТСТЪПКА ЗА ЛОЯЛНИ КЛИЕНТИ

Натрупвайте отстъпки при всяка следваща покупка или ремонт

Виж още

Технически параметри

Основни характеристики
Модел	IRFHS8342TRPBF
Производител	Infineon Technologies (International Rectifier)
Тип	N-Channel HEXFET® Power MOSFET
Предназначение	Високоефективен MOSFET за Buck конвертори, Load Switch и DC/DC захранвания
Технология	HEXFET® Power MOSFET
Електрически характеристики
Drain-Source Voltage (VDS)	30V
Gate-Source Voltage (VGS)	±20V
Максимален Drain Current	8.5A (Package Limited), до 19A @ TC
RDS(on)	13mΩ типично, 16mΩ максимум @ VGS = 10V
Gate Charge (Qg)	4.2nC типично @ VGS = 4.5V
Gate Threshold Voltage	1.35V – 2.35V
Input Capacitance (Ciss)	600pF типично
Приложения
Buck DC/DC конвертори	Да
VRM захранвания	Да
Лаптопи	Да
Power Management	Да
Load Switch	Да
Предимства
Ниско RDS(on)	Минимални проводими загуби
Нисък Gate Charge	По-висока ефективност при превключване
RoHS	Да
Работна температура	-55°C до +150°C
Корпус
Package	PQFN-6 (2 × 2 mm)
Монтаж	SMD
Състояние	Нов